بررسی عددی انتقال گرمای جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/fe3o4 در حضور میدان الکتریکی

thesis
abstract

در تحقیق حاضر انتقال گرمای جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/fe3o4 حول سیم نازک پلاتینی افقی در حضور میدان الکتریکی به روش دینامیک سیالات محاسباتی و با نرم افزار کامسول 4.3a مورد بررسی قرار گرفته است. تغییرات ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد در غلظت های مختلف حجمی و در شدت های مختلف میدان الکتریکی و همچنین اثر تعداد و تغییر شکل الکترود بر انتقال گرما مورد مطالعه قرار گرفت و با نتایج تجربی مقایسه شد. نتایج بررسی عددی نشان می دهد که با افزایش جزء حجمی نانو ذرات ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد نانوسیال بدون میدان الکتریکی افزایش می یابد و میزان وابستگی ضریب انتقال گرما به جزء حجمی نانوذرات در اعداد ریلی پایین بیشتر از اعداد ریلی بالاست. همچنین الکتروهیدرودینامیک با مصرف کم انرژی ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد را افزایش می دهد. میزان افزایش ضریب انتقال گرما در حضور میدان الکتریکی در اعداد ریلی پایین بیشتر از اعداد ریلی بالاست زیرا در اعداد ریلی بالا، اثر جریان ثانویه در مقابل جریان ایجاد شده از نیروی بویانسی کاهش می یابد. ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد اتیلن گلیکول در حضور میدان الکتریکی با ولتاژ 12.5 kv در اعداد ریلی پایین حدود 40% و در اعداد ریلی بالا بیش از 5% افزایش می یابد. همچنین ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد نانوسیال در حضور میدان، از ضریب انتقال گرما بدون حضور میدان بیشتر است. نتایج نشان داد که با جایگزینی الکترود سوزنی با الکترود صفحه ای، ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد، افزایش بیشتری می یابد. همچنین میزان افزایش ضریب انتقال گرمای جابجایی آزاد، در صورت استفاده از سه الکترود سوزنی، بیشتر از یک الکترود سوزنی است.

similar resources

بررسی تجربی انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/ fe3o4 در حضور میدان الکتریکی

در تحقیق حاضر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال اتیلن گلیکول/ fe3o4 روی سیم نازک افقی در حضور میدان الکتریکی به صورت تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. تغییرات عدد ناسلت و ضریب انتقال حرارت جابجایی در غلظت های حجمی مختلف نانوسیال و شدت های متفاوت میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان می دهند که ضریب انتقال حرارت نانوسیال بدون حضور میدان در غلظت های پایین نسبت به سیال پایه افزایش داشته و ب...

بررسی تجربی انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلیکول/fe3o4 در حضور میدان مغناطیسی

بیشتر مطالعات تجربی و تئوری صورت گرفته در زمینه بررسی اثر میدان های مغناطیسی بر فرآیند انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال های مغناطیسی محدود به بررسی جابجایی آزاد در یک محفظه بسته است که فرآیند انتقال حرارت به دلیل اختلاف دما میان دیواره های آن اتفاق می افتد، در صورتی که در بسیاری از تجهیزات، فرآیند انتقال حرارت جابجایی آزاد سیال، اطراف یک منبع گرمایی رخ می دهد. اما این نوع محیط انتقال حرارت به...

15 صفحه اول

اثرات تلفات لزجت بر انتقال گرمای جابه‌جایی اجباری نانوسیال درون یک میکروکانال با حضور میدان مغناطیسی

در این پژوهش اثرات تلفات لزجت بر انتقال گرمای جابه‌جایی اجباری لایه­ای نانوسیال آب- اکسید آلومینیومدرون میکروکانال صفحه موازی با حضور میدان مغناطیسی به‌ صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. میکروکانال از دو صفحه موازی تشکیل‌شده است و در ناحیه میانی میکروکانال دیوارها تحت شار گرمایی و میدان مغناطیسی یکنواخت می‌باشند. معادلات بقاء جرم، مومنتوم و انرژی در حالت دو بعدی به روش تفاضل محدود مبتنی بر ح...

full text

انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در محفظه L شکل بافلدار

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال آب-آلومینا در محفظه L شکل بافلدار بصورت عددی بررسی شده است. معادلات حاکم به روش حجم محدود و با بکارگیری الگوریتم سیمپل حل شده است.دیواره های عمودی سمت چپ و پایینی محفظه گرم و دیواره میانی افقی و بافل سرد و سایر دیوارها عایق است. اثر پارمترهای مختلف مانند عدد رایلی، کسر حجمی ذرات، نسبت ابعاد محفظه و طول بافل بر میزان انتقال حرارت مورد بررسی قرار گر...

full text

چرخش لایه آزاد نانوسیال دی‌اکسید تیتانیوم در میدان الکتریکی خارجی

In this paper, the effect of titanium dioxide nanoparticles on the response of the freely suspended nano-fluid was investigated in an external electric field. Applying  the external electric field to liquid film carrying electric current caused the layer rotation. It was due to the surface charge response of the layer to the electric field. The effect of surface charge on titanium dioxide nano-...

full text

شبیه سازی عددی انتقال گرمای همرفتی آزاد نانو سیال تحت میدان مغناطیسی در داخل محفظه موجدار

در این مقاله، مدل عددی انتقال گرمای همرفتی آزاد همراه با اثر میدان مغناطیسی یکنواخت  در حالت جریان لایه ای پایا، در یک محفظه موجدار که با استفاده از نانو سیال اکسید مس پر شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. دیوارهای راست و چپ محفظه عایق در نظر گرفته شده اند، در حالی که دیوارهای بالایی و پایینی موجدار همدما می باشند. معادلات حاکم بر مسئله به صورت تابع جریان- فرمول گردابه مورد بررسی قرار گرفته و ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده مهندسی شیمی

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023